Micron 실적 및 주요 코멘트 업데이트

[DB금융투자 반도체 서승연]

Micron FY4Q23 실적이 발표되었습니다. 실적 발표 후 Micron은 장외 4.0% 하락 중입니다.

Micron 실적 및 주요 코멘트 업데이트 드립니다. 업무에 도움이 되시길 바랍니다. 감사합니다.


■ FY4Q23 실적 요약
[매출] $40.1억 (컨센서스 $39.3억)
[GPM] -9% (컨센서스 -10.2%)
[EPS] -$1.07 (컨센서스 -$1.18)
[재고] 170일 (전분기 168일)

[DRAM]
- B/G: +10% 중반 QoQ
- ASP: -한자릿수 후반% QoQ

[NAND]
- B/G: +40% QoQ
- ASP: -10% 중반 QoQ


■ FY1Q24 가이던스
[매출] $42.0~46.0억 (컨센서스 $42.1억)
[GPM] -6.0~-2.0% (컨센서스 0.7%)
[EPS] -$1.14~1.10 (컨센서스 -$0.96)


■ CY23, CY24 산업 및 당사 가이던스
[DRAM]
- 산업 수요 B/G:  +한자릿수 중반% 예상 (vs 종전 +한자릿수 초중반%, CAGR +10% 중반)
- 산업 공급 B/G: (-) 예상. 산업 내 감산 및 Capex 축소 영향
- 당사 공급 B/G: 유의미한 역성장(-) 예상

[NAND]
- 산업 수요 B/G: CY23 +10% 후반 예상 (vs 종전 +한자릿수 후반% 초반, CAGR +20% 초반). 일부 소비자용 시장과 높은 가격 탄력성으로 종전 예상 대비 눈높이 상향. CY24
- 산업 공급 B/G: (-) 예상. 산업 내 감산 및 Capex 축소 영향
- 당사 공급 B/G: CY22 대비 소폭 증가 예상


■ CY24 산업 가이던스
- 최종 시장 수요 개선과 고객사 재고 정상화, 대당 탑재량 증가, AI 지속 성장에 기반해 DRAM, NAND 공히 강력한 수요 bit 성장 예상. CY24 메모리 업황 회복의 해가 될 것이며 수요 대비 낮은 공급 증가율로 회복 속도 강화될 전망
- HBM 생산은 산업 공급 B/G (-) 요인을 작용할 것. HBM3E die 크기는 같은 용량 D5 대비 2배 큼. HBM 제품에는 로직 인터페이스 die와 수율에 영향을 미치는 복잡한 패키징 stack이 포함되어 있음. 결과적으로 HBM3 및 3E 램프업은 DRAM 산업 공급 B/G 감소시킬 것이며 이는 비HBM 제품 공급에도 영향을 미칠 것
- FY24 재고일수 감소 예상

[DRAM]
- 산업 수요 B/G: +10% 중반 상회 예상
- 산업 공급 B/G: 산업 수요 B/G를 크게 하회 예상

[NAND]
- 산업 수요 B/G: +20% 초반 예상
- 산업 공급 B/G: 산업 수요 B/G를 크게 하회 예상


■ FY24 Capex 가이던스 및 감산 관련
- Capex: FY23 대비 증가 예상  
- WFE: FY23 대비 감소 예상 (vs 종전 FY23 대비 감소)
- 현재 DRAM과 NAND 웨이퍼 투입량은 22년 최고 수준 대비 30% 가까이 감소
- 지난 몇 개 분기 동안 자본 효율화에 집중하며 활용도 낮은 장비 일부는 DRAM, NAND 최선단 공정 램프업에 재배치. 최선단 공정 step 수 증가로 장비 전환하며 DRAM, NAND 웨이퍼 캐파는 구조적으로 크게 감소. 이로 인해 DRAM, NAND 웨이퍼 투입 캐파는 2022년 수준을 크게 하회할 것
- FY24까지 레거시 노드 가동률은 낮을 것으로 예상하며 FY24 하반기 선단 노드 기준 수요가 공급을 상회할 것이라 예상
- 아이다호와 뉴욕 내 최선단 메모리 팹 건설로 건설 Capex 증가 예상. FY24 조립 및 테스트 Capex는 FY23 대비 2배 증가할 것으로 예상되며 주로 HBM3E 생산에 기인. 당사가 계획한 FY24 HBM 캐파를 위한 설비 투자는 강력한 고객 수요로 이전 계획 대비 크게 증가  


■ 기술 및 생산
- bit 대부분은 선단 공정인 1α, 1ß DRAM과 176단, 232단 NAND
- EUV를 활용한 1γ (1-gamma) DRAM 개발 순조롭게 진행 중이며 CY25 생산 예정. 차세대 NAND 역시 순조롭게 개발 진행 중


■ 수요처별 코멘트
- 데이터센터: 전통 서버 수요는 여전히 부진한 반면 AI 서버 수요는 강력함. 데이터센터 인프라 운영자들은 전통 서버에서 고가의 AI 서버로 예산 배치. CY23 서버 출하량은 2016년 이후 처음으로 감소할 전망. CY24 서버 출하 성장 재개돼 워크로드 수요를 충족할 것. 또한 AI 및 전통 서버 내 탑재량 증가 예상. AI 훈련 서버는 전통 서버 대비 높은 기술력과 수익성을 지닌 DRAM, NAND가 탑재. 데이터센터 매출은 저점이라 판단하며 FY1Q24 매출 증가 예상하며 FY24, 25 데이터센터 사업 모멘텀 증가 예상. 이를 위해 HBM3E, D5 및 관련 대용량 모듈, LPDRAM, 데이터센터 SSD 역량 강화 중. 당사의 HBM3E 제품은 1-beta 기술, TSV, 차별화된 패키징 솔루션을 지님. 고객과 긴밀히 협력해 왔으며 FY24 생산 시작할 계획. CY24 초 당사 D5 물량은 D4를 넘어설 것으로 예상. monolithic 다이 기반 128GB 모듈로 고용량 D5 디램 모듈 포트폴리오 확대했으며 고객사에게 샘플링 출하 시작. 해당 제품은 CY2Q24부터 매출 발생 예상. 지난달 발표했던 128GB 및 256GB CXL 2.0 메모리 확장 모듈은 다수 고객사에게 샘플 공급했음

- PC: PC 출하량은 CY23 -두자릿수 초반% YoY, CY24 +한자릿수 중반% YoY 예상. AI를 지원하는 PC가 탑재량 성장을 견인하고 향후 2년 간 회복 사이클 전망. FY4Q24 PC OEM의 클라이언트 노트북향 높은 LPDRAM 출하 성장이 관찰되었음. FY1Q24 PC OEM에 1-beta 기반 클라이언트 D5 공급 시작할 예정. 232단 NVMe 클라이언트 SSD는 대형 OEM 퀄 통과했으며 양산 출하 중. 클라이언트 시장에서 SSD QLC bit 출하 믹스는 2개 분기 연속 최고치 기록. 컨텐츠 제작 전문가와 PC 게이머향 신규 제품 3개를 출시하며 하이엔드 컨슈머 SSD 입지 확대 중

- 모바일: 스마트폰 출하량은 CY23 -한자릿수 중반% YoY, CY24 +한자릿수 중반% YoY 예상.  더 큰 용량을 지닌 프리미엄 스마트폰 믹스 전환이 메모리 탑재량 증가에 기여하고 있음. 스마트폰 판매량의 약 1/3이 최소 8GB DRAM, 256GB NAND 탑재 중이며 전년 대비 7%p 이상 증가. PC와 유사하게 AI를 지원하는 스마트폰은 탑재량 증가와 강력한 교체 주기를 견인할 전망. 장기적으로 핸드셋에서 생성 AI 어플리케이션이 적용될 것이며 고용량, 저전력 메모리/스토리지 성능이 요구될 것

- 차량용: FY23 차량용 매출은 사상 최대치 기록. 장기적으로 ADAS와 차량 내 메모리/스토리지 탑재량 증가 예상. 빠르게 성장하는 EV는 일반 자동차 대비 높은 메모리/스토리지 탑재량 필요

- 산업용: FY4Q23 산업 시장은 회복 시그널 포착됨. 유통 채널과 대다수 고객사들의 메모리/스토리지 재고 수준은 안정화되고 있음. FY2H23 관찰된 볼륨 회복은 24년까지 지속될 것으로 예상


■ 주요 코멘트
- 고객사 재고는 정상화되고 있으며 글로벌 공급 축소는 FY24 매출 성장, 메모리 가격 및 수익성 개선으로 이어질 것. CY25 수익성은 정상 수준으로 회귀할 것이며 메모리 산업 TAM은 사상 최대 예상

[고객사 재고]
- 고객사는 FY1Q24 과잉 재고를 지속 축소 중
- 대부분 스마트폰, PC 고객사들의 재고는 현재 정상 수준. 대부분 차량용 고객사들 역시 재고 정상 수준. 데이터센터 재고는 개선되고 있으며 CY24 초 재고 정상화 예상
- 메모리 업황이 회복되기 시작하면서 낮은 메모리 판가가 지속되기 어려워짐에 따라 전략적으로 구매하려는 일부 고객사들이 관찰되기도 함

[중국 CAC 관련]
- 올해 초 중국 CAC(사이버보안국) 결정은 당사의 중국 데이터센터 및 네트워킹 사업에 영향을 미침. 당사는 CAC 결정에 영향을 받지 않는 선에서 중국 고객사에 만전을 기하고 있으며 단기적으로 수요에 영향을 미칠 수 있으나 글로벌 MS 유지하는데 주력 중