삼성·SK, HBM용 웨이퍼 공정 기술 바꾼다...'레이저 탈착' 도입 추진

삼성·SK, HBM용 웨이퍼 공정 기술 바꾼다...'레이저 탈착' 도입 추진 (https://www.etnews.com/20240708000086)


- 삼성전자와 SK하이닉스가 고대역폭메모리(HBM) 웨이퍼 공정 기술 전환을 추진 중임.

- 주요 변경 사항은 웨이퍼 탈착(디본딩) 공정을 기존 블레이드(칼날) 방식에서 레이저 방식으로 전환하는 것임.

- 이러한 전환의 주요 이유는:
  1) HBM의 적층 수 증가로 웨이퍼가 30마이크로미터(㎛) 이하로 얇아져 기존 방식으로 분리 시 훼손 우려가 있음.
  2) 공정 수 증가와 초고온 환경에 대응하기 위한 새로운 접착제 사용 필요성.

- 양사는 엑시머 레이저와 자외선(UV) 레이저 등 다양한 방식을 검토 중임.

- 레이저 디본딩 기술은 HBM4 16단부터 도입될 가능성이 높음.

- 이 기술은 향후 다른 메모리나 시스템 반도체 공정으로 확대될 가능성이 있음.

- 기술 전환에 따른 소재 및 장비 공급망 변화가 예상됨:
  1) 기존 장비 시장은 일본 도쿄일렉트론(TEL)과 독일 수스마이크테크가 주도.
  2) 레이저 방식 도입으로 더 많은 장비업체의 시장 진입 가능성이 열림.
  3) 국내 기업들도 시장 참여를 준비 중.

- 접착제 시장도 변화 예상:
  1) 현재 미국 3M, 일본 신에츠화학, 닛산화학, TOK 등이 주요 공급업체.
  2) 이들 기업도 레이저 방식에 적합한 새로운 접착 소재 개발 중.

- 삼성전자와 SK하이닉스의 소재 및 장비 선택에 따라 전체 공급망에 큰 변화가 있을 수 있음.

#HBM #TEL #TOK #3M #삼성전자 #SK하이닉스